Компания SanDisk Corporation, один из мировых лидеров в производстве карт флэш-памяти, рассказала на проходящей ежегодной конференции International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) о выпуске наиболее компактной среди конкурентов микросхемы плотностью 128 Гбит. Новинка создана в соответствии с нормами 19-нм техпроцесса, площадь кристалла составляет 170 мм², устройство хранит по три бита информации в каждой ячейке. Микросхема памяти была создана в партнерстве с компанией Toshiba, и получила обозначение X3.
В соответствии с этим техпроцессом компания намерена выпускать X3 микросхемы пятого поколения, скорость записи которых составит до 18 Мб/с, а также MLC микросхемы девятого поколения. Скоростные возможности современной памяти типа X3 позволяют ей рассчитывать на использование в современных SSD-накопителях, однако из-за более низкого ее ресурса производителям придется решить еще много задач, прежде чем запустить технологии на рынок.
